Toshiba und SanDisk haben im Rahmen eines neu abgeschlossenen Joint-Venture Fab 4, eine Fabrikanlage für die Produktion von 300-mm-Wafern für NAND-Flashspeicher, eingeweiht:
Firmengelände, Mie Prefecture, Japan
Die Massenfertigung in der neuen Fabrik, mit deren Bau im August 2006 begonnen wurde, soll im Dezember 2007 anlaufen. Die Betreiber rechnen damit, dass in der zweiten Hälfte das Jahres 2008 ein monatlicher Ausstoß von 80.000 Wafern erreicht wird. Die Anlage, im japanischen Mie Prefecture gelegen, könnte durch Kapazitätserweiterung auf 210.000 Wafer pro Monat ausgebaut werden, sofern die Nachfrage entsprechend ist. Es wäre dann die weltgrößte Fabrik dieser Art.
Der Reinraum bei Toshiba Yokkaichi Operations Fab 4
Zu Beginn wird 56-Nanometer-Technologie zum Einsatz kommen. Den Plänen zufolge soll diese dann schrittweise, beginnend im März 2008, um die 43-Nanometer-Technologie erweitert werden.
Im Rahmen des neu geschlossenen Joint Venture wird das Produzierte zu gleichen Teilen zwischen Toshiba und SanDisk aufgeteilt. Beide Unternehmen erhoffen sich dadurch eine gestärkte Marktposition und sehen die neue Fabrik als wichtigen Wachstumsfaktor.
(thoMas)
Das Joint Venture …
ist aber nicht ganz neu, sondern datiert aus dem Jahr 2005. Für beide Seiten war dies ein notwendiger Schritt, den schnell wachsenden Konkurenten Samsung nicht überholen zu lassen. In den nächsten Monaten wird sich dann auch zeigen, ob das Konzept der Immersions-Lithographie (von Zeiss bzw. Nikon) tauglich für die Massenproduktion ist.