Erstmal kann man die IR-Empfindlichkeit von diesem Typus von Sensor auch designen. Für Imager-Sensoren wird man eine Reduzierung der IR-Empfindlichkeit verfolgen und für anderen Anwendungen das max. mögliche herausholen.

Den Dreck den CMOS, LiveMOS und CCDs einsammeln genügt um von zuviel Dreck zu sprechen.

Es geht wohl eher um die Rate an IR-Spektralanteilen und deren Lage im Spektrum, denn der Sensor wie hier vorgestellt hat nunmal kein RGB-Bayer-Pattern mit Farbfiltern sondern ist ein Sensor ohne Farbfilter und RGB-Bayer-Pattern.
Die RGB-Bayer-Pattern-Sensoren sind gezielt im IR-Bereich weiter offen als man es sich quasi wünscht und über einen zusätzlichen IR-Filter wird die Rate an IR-Spektralanteilen definiert.

Desweiteren ist die Signalverschlechterung durch die Design-Strategien die man heute bei den Nachteulen-CMOS-Sensoren verfolgt weitaus schwerwiegender als Einflüsse von starken IR-Filtern.

Das Eis auf dem sich Canon, Nikon, Sony und Pentax bewegen wird immer dünner.

Würde man solche Sensoren einsetzen könnte man auf die wahnwitzigen Mircolinsen-Designs verzichten. Man wird jedoch mangels Telezentrie-Güte-Potentiale im System "sichtbar" Boden gegenüber FT-Systemen verlieren.

Das einzige was noch Fans Richtung KB-VF ziehen würde wäre das andere Schärfetiefen-Verhalten bei einigen wenigen Brennweiten-Bereichen. In weitaus größerem Brennweitenbereich kann man bei FT dank Offenblendentauglichkeit vergleichbare bis identischen Schärfetiefen-Effekte erreichen.
Für KB-VF wird man weiterhin mehr Glas, größeren Linsen und damit verbunden höhere Kosten bewirken ohne die an die Abbildungs-Leistung und -Qualität von FT-System-Objektiven ausreichend nah genug ran kommen zu können.

Der Zug ist bereits Ende 2003/Anfang 2004 für die ewig gestrigen auf Ihren alten Bajonetts veharrenden Herstellern abgefahren.
Zulange ist man auf dem HighISO-Hype und MPx-Wahn herumgeritten.
Höhere Empfindlichkeit bedeutet bzgl. FT va. eines.

Die effektiven Pixelflächen können schrumpfen ohne die Lichtempfindlichkeit zu verschlechtern. Mit etwas Aufwand entwickelt man Ladungsspeicher, welche tiefer ins Silizium reichen.

Beugungsgrenze schlägt bei FT nicht früher zu als bei APS-C oder KB-VF soweit man vergleichbare Ergebnisse erzielen will. IdR. ist es eher so, dass man KB-VF-Makro-Objektive auf Film noch als Makro bei den typischen extrem kleinen Blendenöffnungen noch nutzen kann auf KB-VF-Sensoren jedoch bereits extreme verschwommene Details erzeugt werden, während bei FT noch alles "punktscharf" ist.

Vergallopiert und va. fehlinvestiert.

Der Halbleitertechnik inherent ist das große Integrations-Potential. FT definiert hier einen für die Fotografie sinnvollen Formfaktor.
Um HighISO-Performance zu erreichen lag das Limit erst bei KB-VF und die Latte wird Schritt für Schritt weiter nach unten gelegt.
Mit dieser Sensor-Technik liegt das Limit auf FT-Niveau, wenn nicht sogar niedriger.

Überhalb von FT wird man dank der hohen Lichtempfindlichkeit bei der Ebene der Microlinsen sparen. Das wird jedoch nichts nützen, denn das Material was FT liefert hat bis zur Pixelfläche eben das bedingt durch den besseren optischen Pfad bei FT-Systemen das hochwertigere Futter geliefert.

Die wichtigste Eigenschaft eines Imager-Sensors liegt zwischen dem Objekt/Motiv und den Pixelflächen. Dh. der optische Pfad des Imager-Sensors ist auf die Objektive und umgekehrt optimiert.
Das kann in der heute und in Zukunft geforderten Güte nur FT, Leica S2 und digitales Mittelformat anbieten. Das Kleinbildformat hat bereits für Film teilweise recht verkorksten Objektivbau erforderlich gemacht.

Was Randstrahlen anbelangt zeigt das digitale Leica M-System exakt das was für KB-VF zutrifft aber definitiv NICHT für FT, Leica S2 und va. bedingt durch das lange Auflagemaß nicht für digitales Mittelformat.

Weder bei APS-C noch bei KB-VF passen quasi die "Proportionen". Diese Probleme bedingt durch die "Proportionen" spielen exakt im wichtigsten Bereich des Gesamtsystems rein und das ist nunmal die Optik.
Der Fisch stinkt vom Kopf weg.
Aktuell ist es eben noch so, dass sich die kleinen FT-Sensoren bei hoher Signalverstärkung bedingt durch geringere Lichtempfindlichkeit der LiveMOS-Designs gegenüber den wahnwitzig lichtempfindlichen (bedingt durch wahnwitzige Microlinsen-Designs, welche ua. zu Farbfehler-Patterns führen) Nachteulen-CMOS-Sensor-Designs "hart" tun.
Mit dieser Sensor-Technik ist dies ein Thema der Vergangenheit und der kleine FT-Sensor zeigt deutlich sichtbar seine Vorteile dann selbst bei höchsten ISO-Werten.

Die Potentiale stecken in der Halbleiter-Technik nicht in dem Freiheitsgrad möglichst große Flächen zu nutzen sondern es sind die inherenten Potentiale der Hochintegration.
Hier wirkt eine Technologie für erhöhte Lichtempfindlichkeit und ermöglicht rauschärmere Sensoren was Abstand von Nutzsignal-Pegel zu Noise-Floor anbelangt. Die Signalverstärkung kann geringer wie bisher eingestellt werden.
Der Sensor muß so klein sein, dass dadurch Objektive mit extrem hoher Abbildungsleistung gebaut werden können und andererseits groß genug um dank Offenblendentauglichkeit die Schärfentiefe kreativ einsetzen zu können.

FT wird sich zum Welt-Standard für kompakte D-SLRs nicht entwickeln sondern er ist es bereits nur klappt eben nichts von heute auf morgen sondern gut Ding will Weil haben.
FT ist bereits die Referenz und wird klar erkennbar der Formfaktor sein um den sich die properitären neuen System-Formate von Canon und Co. formieren.
APS-C zeigt immer wieder, dass auch dieser Sensor oft ganz einfach zu groß ist bzw. die Proportionen von Auflagemaß, Bajonett-Durchmesser und Sensor-Diagonale nicht passen.