Samsung entwickelt NAND-Flash mit 64 Gigabit

Wie Samsung Semiconductor stolz vermeldet, ist es dem Unternehmen gelungen, den ersten Flash-Speicherchip mit 64 Gigabit zu entwickeln. Er soll ab 2009 produziert werden und wird Speicherkarten mit bis zu 128 Gigabyte möglich machen:

Wie Samsung Semiconductor in einer Pressemeldung vom 23. Oktober 2007 mitteilt, liegt dem Chipdesign ein 30-Nanometer-Fertigungsprozess zugrunde. Damit habe sich die Speicherdichte in acht aufeinanderfolgenden Jahren jeweils verdoppelt und seit Vorstellung des 1-Gb-NANDs mit 100 nm im Jahr 2001 sei es das siebte Jahr in Folge, in dem die Nanometer-Skalierung verbessert werden konnte.

Durch einen neuen Fertigungsprozess namens SaDPT (self-aligned double patterning technology) sei es nun gelungen, die Chips in 30 nm zu fertigen. Dabei könnten vorhandene Belichtungseinrichtungen genutzt werden, was die schnelle und kostengünstige Fertigung ermögliche und neue Fertigungsstraßen unnötig mache. 30 Patente habe Samsung in diesem Zusammenhang beantragt.

Samsung erwartet, dass die Serienfertigung im Jahr 2009 aufgenommen werden kann. Da maximal 16 dieser 64-Gb-Chips kombiniert werden können, werden dann Speicherkarten mit bis zu 128 GB möglich sein.

(thoMas)